14nm争夺战别有洞天


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14nm争夺天空中的洞

转自半导体行业观察/张健

在半导体制造领域,10nm,7nm和更先进工艺的竞争越来越激烈。主要原因是投资巨大且风险很高。愿意进入的球员越来越少。目前,只剩下台积电和三星。而英特尔这三家,这显然是卖方的市场,从主要客户那里获得足够的台积电7nm容量可以看出突破头。

先进产能的竞争并不激烈,成熟的28nm工艺已经显得过度。此时,处于两地中间的14nm工艺显然已成为当下的支柱,承载着市场上大多数中高端芯片的制造,特别是工业,汽车,物联网等,具有巨大的市场空间,14nm工艺。只是暂时的。

目前,14nm工艺主要用于制造中高端AP/SoC,GPU,采矿ASIC,FPGA,汽车半导体等。对于每个制造商来说,这个过程也是收入的主要来源,特别是英特尔,14nm是其目前的主要工艺技术,就公司的数量而言,其收入可想而知。对于中国大陆的晶圆代工厂,特别是中芯国际和华虹,14nm工艺技术正在开发中,生产时间并不遥远。这样,经过两三年,随着新产能的成熟,14nm工艺的市场结构值得期待。

目前,主要有七家制造商拥有或将拥有14nm工艺能力:英特尔,台积电,三星,格罗芬,联华电子,中芯国际和华虹。

下图显示了六家制造商的各种工艺流程的批量生产时间,绿色部分为14nm。

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西南证券

致力于英特尔和三星传递新闻

自2015年正式推出14nm工艺以来,英特尔已经依赖它四年,而且这一过程也给半导体巨头带来了可观的收入。从Skylake(14nm),Kaby Lake(14nm +),Coffee Lake(14nm ++)到14nm +++,于2018年推出,该公司一直在维护14nm工艺的更新。英特尔最初计划在2016年推出10nm,但经过几次延迟,仅在2019年末。从这里,我们也可以看到该公司对14nm工艺的依赖。

同样的14nm工艺,因为英特尔严格遵循摩尔定律,因此其工艺的水平和严谨性是最高的。就已发布的技术而言,英特尔不断更新的14nm工艺与台积电的10nm工艺大致相同。

以下是三星和台积电的具体参数对比。英特尔于2014年发布了14nm工艺,每平方毫米有3750万个晶体管和TSMC 16nm工艺(该公司没有14nm工艺,但其16nm工作在市场上有14nm工艺,每平方毫米有大约2900万个晶体管,以及三星的14nm节点每平方毫米有大约3050万个晶体管。此外,英特尔的14nm节点栅极长度为24nm,优于台积电的33nm,优于三星的30nm。英特尔的14nm节点的鳍片高度为53nm,优于台积电的44纳米和三星的49纳米。

今年5月,英特尔表示将在第三季度增加其14nm工艺容量,以解决CPU市场的短缺问题。

不过,英特尔自己的14nm容量已经满员,因此该公司投资15亿美元扩大14nm容量,预计今年第三季度的产量将增加。其14nm工艺芯片主要在亚利桑那州和俄勒冈州的D1X工厂生产。海外的14nm晶圆厂是爱尔兰的Fab 24,目前正在升级14nm工艺。

在三星,该公司于2015年宣布将正式批量生产14nm FinFET工艺,并先后为Apple和高通公司制造高端手机处理器。目前,其14nm容量市场份额仅次于英特尔和台积电。

如前所述,英特尔的14nm容量很小,很难满足市场需求。在这种情况下,6月份有媒体报道称三星和英特尔正在就14nm Rocket Lake芯片的生产进行谈判。

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自2018年下半年以来,英特尔已投入巨资进行升级和建设生产10nm芯片的新生产线,但这需要几年的时间才能扩展。与此同时,英特尔必须增加其14nm芯片产量。因此,有传言称它会将一些CPU转移到三星OEM,希望能够解决容量不足的问题。

由于内存芯片市场疲软,三星的收入有很大影响。因此,三星的代工产能利用率已经下降。寻找新客户,高通和英特尔是主要目标。

据报道,三星将在明年第四季度开始批量生产英特尔14纳米Rocket Lake芯片。如果这是真的,三星的第一个CPU将于2021年上市。

不同的台积电

台积电于2015年下半年开始生产16nm FinFET工艺。与三星和英特尔相比,虽然它们的节点命名不同,但三星和英特尔是14纳米,而台积电是16纳米,但它们在实际工艺水平上属于同一代。

在2018年第二季度,台积电的16纳米和20纳米工艺占公司收入的25%。主要产品分为两类:一类是逻辑器件,包括中高端手机AP/SoC,基带芯片,CPU。GPU,采矿机器ASIC和FPGA;第二,RF芯片,包括WIFI,蓝牙,NFC芯片,5G毫米波芯片,以及用于高端手机的汽车电子芯片。

例如,比特兰开发的寒武纪MLU100和AI张量计算芯片BM1680采用台积电的16纳米工艺制造。

Grofand和UMC的14nm工艺比例有限

2018年8月,Grofund宣布放弃7nm LP工艺开发,并在12nm和14nm工艺上投入更多资源。

据悉,Grofund已经制定了两个工艺路线图:一个是FinFET,在这方面,该公司拥有14LPP和新的12LPP(14LPP到7LP过渡版);第二个是FD-SOI,Groffont目前正在生产22FDX,而12FDX将在客户需要时发布。

因此,14nm是Groffont最先进的主流工艺技术,位于美国纽约马耳他,除14nm外,还有28nm,最大容量为6万片/月,主要采用12英寸晶圆。主要用于代工高端处理器。目前,14nm容量占其总收入的一小部分。

在联华电子的情况下,该公司位于台南的Fab 12A于2002年投入批量生产,现已将14纳米工艺用于客户OEM产品。

但是,联华电子的14nm工艺仅占其主要生产线的3%左右。这与公司的发展战略直接相关。联华电子专注于开发特殊工艺,无论是8还是12,公司将专注于各种新的特殊工艺开发,尤其是物联网,5G和汽车电子。这些应用在未来具有巨大的市场和发展前景,联华电子的汽车电子业务近年来增长了30%以上。包括RF,MEMS,LCD驱动IC,OLED驱动IC等领域。

在14nm FinFET工艺中,UMC于2017年初开始量产。该公司还开发了第二个14nm平台。然而,该公司对14纳米工艺的持续投资保守。

中国的14nm工艺已经准备就绪

与美国,韩国和台湾相比,中国大陆是14nm工艺的绝对追随者。经过多年的研发努力,它取得了一定的突破。离大规模生产不远。预计将在2020年实现。国际社会将发挥重要作用,其次是华虹集团的华力微电子。

对于SMIC,其14nm FinFET已进入客户测试阶段。在2019年第二季度,它在上海工厂投资了新设备。它计划在下半年进入批量生产阶段。未来,其首个14nm工艺客户很可能成为手机芯片制造商。据报道,2019年,中芯国际的资本支出从2018年的18亿美元增加到22亿美元。

2019年2月,中芯国际联席首席执行官梁梦松指出:“我们正在努力构建全面的先进技术解决方案,特别关注FinFET技术的基础,平台的发展以及客户关系的建立。目前,中芯国际14nm技术已进入客户验证阶段,产品可靠性和产量得到进一步提升。同时,12nm工艺开发也取得了突破性进展。“

据报道,中芯国际的14nm工艺批量生产主要分为三个阶段:第一阶段是成本> ASP,第二阶段成本由ASP抵消,第三阶段是成本

华力微电子年初在SEMICON中国2019年先进制造业论坛上表示,公司研发副总裁邵华表示,华力微电子将在今年年底前大规模生产28nm HKC +工艺和质量到2020年底生产14nm FinFET工艺。

结论

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11: 01

来源:观察员网络

14nm争夺天空中的洞

转自半导体行业观察/张健

在半导体制造领域,10nm,7nm和更先进工艺的竞争越来越激烈。主要原因是投资巨大且风险很高。愿意进入的球员越来越少。目前,只剩下台积电和三星。而英特尔这三家,这显然是卖方的市场,从主要客户那里获得足够的台积电7nm容量可以看出突破头。

先进产能的竞争并不激烈,成熟的28nm工艺已经显得过度。此时,处于两地中间的14nm工艺显然已成为当下的支柱,承载着市场上大多数中高端芯片的制造,特别是工业,汽车,物联网等,具有巨大的市场空间,14nm工艺。只是暂时的。

目前,14nm工艺主要用于制造中高端AP/SoC,GPU,采矿ASIC,FPGA,汽车半导体等。对于每个制造商来说,这个过程也是收入的主要来源,特别是英特尔,14nm是其目前的主要工艺技术,就公司的数量而言,其收入可想而知。对于中国大陆的晶圆代工厂,特别是中芯国际和华虹,14nm工艺技术正在开发中,生产时间并不遥远。这样,经过两三年,随着新产能的成熟,14nm工艺的市场结构值得期待。

目前,主要有七家制造商拥有或将拥有14nm工艺能力:英特尔,台积电,三星,格罗芬,联华电子,中芯国际和华虹。

下图显示了六家制造商的各种工艺流程的批量生产时间,绿色部分为14nm。

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西南证券

致力于英特尔和三星传递新闻

自2015年正式推出14nm工艺以来,英特尔已经依赖它四年,而且这一过程也给半导体巨头带来了可观的收入。从Skylake(14nm),Kaby Lake(14nm +),Coffee Lake(14nm ++)到14nm +++,于2018年推出,该公司一直在维护14nm工艺的更新。英特尔最初计划在2016年推出10nm,但经过几次延迟,仅在2019年末。从这里,我们也可以看到该公司对14nm工艺的依赖。

同样的14nm工艺,因为英特尔严格遵循摩尔定律,因此其工艺的水平和严谨性是最高的。就已发布的技术而言,英特尔不断更新的14nm工艺与台积电的10nm工艺大致相同。

以下是三星和台积电的具体参数对比。英特尔于2014年发布了14nm工艺,每平方毫米有3750万个晶体管和TSMC 16nm工艺(该公司没有14nm工艺,但其16nm工作在市场上有14nm工艺,每平方毫米有大约2900万个晶体管,以及三星的14nm节点每平方毫米有大约3050万个晶体管。此外,英特尔的14nm节点栅极长度为24nm,优于台积电的33nm,优于三星的30nm。英特尔的14nm节点的鳍片高度为53nm,优于台积电的44纳米和三星的49纳米。

今年5月,英特尔表示将在第三季度增加其14nm工艺容量,以解决CPU市场的短缺问题。

不过,英特尔自己的14nm容量已经满员,因此该公司投入15亿美元扩大14nm容量,预计今年第三季度的产量将增加。其14nm工艺芯片主要在亚利桑那州和俄勒冈州的D1X工厂生产。海外的14nm晶圆厂是爱尔兰的Fab 24,目前正在升级14nm工艺。

在三星,该公司于2015年宣布将正式批量生产14nm FinFET工艺,并先后为Apple和高通公司制造高端手机处理器。目前,其14nm容量市场份额仅次于英特尔和台积电。

如前所述,英特尔的14nm容量很小,很难满足市场需求。在这种情况下,6月份有媒体报道称三星和英特尔正在就14nm Rocket Lake芯片的生产进行谈判。

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自2018年下半年以来,英特尔已投入巨资进行升级和建设生产10nm芯片的新生产线,但这需要几年的时间才能扩展。与此同时,英特尔必须增加其14nm芯片产量。因此,有传言称它会将一些CPU转移到三星OEM,希望能解决容量不足的问题。

由于内存芯片市场疲软,三星的收入有很大影响。因此,三星的代工产能利用率已经下降。寻找新客户,高通和英特尔是主要目标。

据报道,三星将在明年第四季度开始批量生产英特尔14纳米Rocket Lake芯片。如果这是真的,三星的第一个CPU将于2021年上市。

不同的台积电

台积电于2015年下半年开始生产16nm FinFET工艺。与三星和英特尔相比,虽然它们的节点命名不同,但三星和英特尔是14纳米,而台积电是16纳米,但它们在实际工艺水平上属于同一代。

在2018年第二季度,台积电的16纳米和20纳米工艺占公司收入的25%。主要产品分为两类:一类是逻辑器件,包括中高端手机AP/SoC,基带芯片,CPU。GPU,采矿机器ASIC和FPGA;第二,RF芯片,包括WIFI,蓝牙,NFC芯片,5G毫米波芯片,以及用于高端手机的汽车电子芯片。

例如,比特兰开发的寒武纪MLU100和AI张量计算芯片BM1680采用台积电的16纳米工艺制造。

Grofand和UMC的14nm工艺比例有限

2018年8月,Grofund宣布放弃7nm LP工艺开发,并在12nm和14nm工艺上投入更多资源。

据悉,Grofund已经制定了两个工艺路线图:一个是FinFET,在这方面,该公司拥有14LPP和新的12LPP(14LPP到7LP过渡版);第二个是FD-SOI,Groffont目前正在生产22FDX,而12FDX将在客户需要时发布。

因此,14nm是Groffont最先进的主流工艺技术,位于美国纽约马耳他,除14nm外,还有28nm,最大容量为6万片/月,主要采用12英寸晶圆。主要用于代工高端处理器。目前,14nm容量占其总收入的一小部分。

在联华电子的情况下,该公司位于台南的Fab 12A于2002年投入批量生产,现已将14纳米工艺用于客户OEM产品。

但是,联华电子的14nm工艺仅占其主要生产线的3%左右。这与公司的发展战略直接相关。联华电子专注于开发特殊工艺,无论是8还是12,公司将专注于各种新的特殊工艺开发,尤其是物联网,5G和汽车电子。这些应用在未来具有巨大的市场和发展前景,联华电子的汽车电子业务近年来增长了30%以上。包括RF,MEMS,LCD驱动IC,OLED驱动IC等领域。

在14nm FinFET工艺中,UMC于2017年初开始量产。该公司还开发了第二个14nm平台。然而,该公司对14纳米工艺的持续投资保守。

中国的14nm工艺已经准备就绪

与美国,韩国和台湾相比,中国大陆是14nm工艺的绝对追随者。经过多年的研发努力,它取得了一定的突破。离大规模生产不远。预计将在2020年实现。国际社会将发挥重要作用,其次是华虹集团的华力微电子。

对于SMIC,其14nm FinFET已进入客户测试阶段。在2019年第二季度,它在上海工厂投资了新设备。它计划在下半年进入批量生产阶段。未来,其首个14nm工艺客户很可能成为手机芯片制造商。据报道,2019年,中芯国际的资本支出从2018年的18亿美元增加到22亿美元。

2019年2月,中芯国际联席首席执行官梁梦松指出:“我们正在努力构建全面的先进技术解决方案,特别关注FinFET技术的基础,平台的发展以及客户关系的建立。目前,中芯国际14nm技术已进入客户验证阶段,产品可靠性和产量得到进一步提升。同时,12nm工艺开发也取得了突破性进展。“

据报道,中芯国际的14nm工艺批量生产主要分为三个阶段:第一阶段是成本> ASP,第二阶段成本由ASP抵消,第三阶段是成本

华力微电子年初在SEMICON中国2019年先进制造业论坛上表示,公司研发副总裁邵华表示,华力微电子将在今年年底前大规模生产28nm HKC +工艺和质量到2020年底生产14nm FinFET工艺。

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